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Product Category詳細介紹
| 品牌 | Enlitech | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 能源 | 價格區(qū)間 | 面議 |
| 測量模式 | 咨詢光焱科技專家 |
●掃描光生電流的分布
●掃描光電壓分布
●掃描開路電壓和短路電流的分布
●分析表面污染
●分析短路區(qū)域的 分布
●識別和分析微裂紋區(qū)域
●分析少數載子擴散長度的分布（選用功能）
| 項目 | 參數說明。 |
|---|---|
| 功能 | A。利用能量高于半導體帶隙的波長激光束在半導體中產生電子空穴對，探索耗盡區(qū)對內部電流變化的影響，了解和分析各種缺陷分布，作為工藝改進的方向。 b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。 C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。 d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。 e.能夠分析表面污染。 F。能夠分析短路區(qū)域的分布。 G。能夠識別和分析微裂紋區(qū)域。 H。能夠分析少數載流子擴散長度的分布（可選）。 |
| 激勵源 | 405 ±10nm 激光 520 ±10nm 激光 635 ±10nm 激光 830 ±10nm 激光 |
| 掃描區(qū)域 | ≧100mm×100mm |
| 激光光斑尺寸 | 接近TEM00模式點 |
| 測繪分辨率 | A。掃描分辨率 ≤ 50 µm b.掃描分辨率可通過軟件設置 |
| 測繪時間 | <4分鐘（100mm×100mm，分辨率50um） |
| 方面 | 60厘米*60厘米*100厘米 |
| 軟件 | A。 LBIC 3D 可視化 b． 2D 橫截面分析（電極縱橫比） c．光電流響應分布分析（與長波長激光源結合） d．數據保存和導出功能 |
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