在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,界面和鈣鈦礦層的異質(zhì)性一直是提高效率的主要障礙,尤其在大面積應(yīng)用中更為突出。新加坡國(guó)立大學(xué)NUS侯毅團(tuán)隊(duì)于Nature Photonics Volume 18. 9月號(hào)(DOI: 10.1038/s41566-024-01531-x)的研究發(fā)表中證實(shí),自組裝分子(SAMs)的無(wú)定形相能顯著改善鈣鈦礦的生長(zhǎng)均勻性。高光譜分析結(jié)果顯示,鈣鈦礦/無(wú)定形SAMs結(jié)構(gòu)中的光致發(fā)光峰分布更為集中且呈現(xiàn)藍(lán)移。時(shí)間分辨光致發(fā)光研究進(jìn)一步表明,基于無(wú)定形SAM的鈣鈦礦薄膜中陷阱輔助復(fù)合速率降低至0.5×10^6 s^-1。這些改進(jìn)使p-i-n結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在1平方厘米面積上實(shí)現(xiàn)了25.20%的效率(經(jīng)認(rèn)證為24.35%)。更值得注意的是,這些電池在ISOS-L-1標(biāo)準(zhǔn)下經(jīng)過(guò)600小時(shí)的最大功率點(diǎn)跟蹤后,效率仍保持接近100%,在ISOS-T-2標(biāo)準(zhǔn)下經(jīng)過(guò)1,000小時(shí)的85°C熱應(yīng)力測(cè)試后,仍保持90%的初始效率。此外,與晶態(tài)SAMs相比,非晶態(tài)SAMs能有效降低缺陷密度,減少陷阱輔助的復(fù)合速率,進(jìn)一步優(yōu)化效率和穩(wěn)定性。
顯示了在ISOS-T-2I協(xié)議下,封裝設(shè)備在85°C、黑暗和氮?dú)猸h(huán)境中的穩(wěn)定性測(cè)試。比較了兩種不同的自組裝分子(SAM):
c-SAM(綠色線(xiàn)):隨著時(shí)間的推移,功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)逐漸下降。
a-SAM(藍(lán)色線(xiàn)):PCE保持相對(duì)穩(wěn)定,顯示出更好的穩(wěn)定性。
結(jié)果表明,a-SAM在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中具有穩(wěn)定性。
晶態(tài)SAM (Me-4PACz) 和非晶態(tài)SAM (Ph-4PACz)研究手法
近年來(lái),鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)研究呈現(xiàn)出對(duì)倒置(p-i-n)結(jié)構(gòu)的偏好趨勢(shì),其功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)與傳統(tǒng)正向結(jié)構(gòu)(n-i-p)的差距逐漸縮小。這一效率提升很大程度上歸功于自組裝分子(SAMs)作為空穴傳輸材料(HTM)的應(yīng)用。典型的HTM SAMs結(jié)構(gòu)包含空穴傳輸組分、錨定基團(tuán)和間隔物,其中錨定基團(tuán)(如磷酸)與金屬氧化物或透明導(dǎo)電氧化物(TCO)基底形成化學(xué)鍵合。
在鈣鈦礦光伏領(lǐng)域,SAM沉積技術(shù)通常采用快速溶液處理,與傳統(tǒng)單分子層概念不同。SAMs易聚集或結(jié)晶,主要受弱庫(kù)侖力和強(qiáng)范德華力驅(qū)動(dòng)。未錨定SAMs常堆積在已錨定分子上,形成納米厚度的疏松層。這類(lèi)似于染料敏化和有機(jī)太陽(yáng)能電池中的非理想結(jié)晶現(xiàn)象。然而,SAMs在TCO基底上的大面積均勻性研究仍有限。
本研究比較了晶態(tài)SAM (Me-4PACz) 和非晶態(tài)SAM (Ph-4PACz),揭示了立體位阻和分子間相互作用在實(shí)現(xiàn)均勻非晶態(tài)SAM中的關(guān)鍵作用。以下為綜合研究論文及補(bǔ)充資料的研究步驟:
樣品制備:確保SAMs均勻覆蓋在基板上,為后續(xù)的鈣鈦礦生長(zhǎng)提供良好的界面。
使用圖案化的ITO或FTO玻璃基板,經(jīng)過(guò)清洗和紫外臭氧或空氣等離子處理。
合成了特定的化合物,如Ph-4PACz
將c-SAM或a-SAM溶液旋涂在基板上,并加熱以形成薄膜。
鈣鈦礦薄膜制備:形成高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜是提高電池效率的關(guān)鍵。
使用預(yù)先配制的鈣鈦礦前驅(qū)溶液,經(jīng)過(guò)旋涂和退火處理形成鈣鈦礦薄膜。
GIWAXS表征:確認(rèn)SAMs的無(wú)定形相有助于均勻的鈣鈦礦生長(zhǎng)。
使用掠射廣角X射線(xiàn)散射技術(shù)來(lái)分析SAMs的結(jié)晶性和形貌。
SFig11.展示了GIWAXS(廣角X射線(xiàn)散射)分析的徑向輪廓,分別在面內(nèi)和面外方向上對(duì)c-SAM和a-SAM進(jìn)行整合。
(a) 面內(nèi)方向:
上圖:a-SAM的散射強(qiáng)度隨著qq的增加而減少。
下圖:c-SAM的散射強(qiáng)度顯示出類(lèi)似的趨勢(shì),但有更多細(xì)節(jié)和波動(dòng)。
(b) 面外方向:
上圖:a-SAM的散射強(qiáng)度在低qq值處有一個(gè)峰值,隨后逐漸減少。
下圖:c-SAM在低qq值處顯示出多個(gè)明顯的峰值,表明其結(jié)構(gòu)有序性更高。
分子動(dòng)力學(xué)(MD)模擬:提供對(duì)SAMs均勻性和分子間相互作用的深入理解。
模擬SAMs在TCO基板上的分子分布。
光致發(fā)光(PL)和時(shí)間分辨光致發(fā)光(TRPL)分析:評(píng)估界面缺陷和非輻射復(fù)合對(duì)電池性能的影響。
測(cè)量鈣鈦礦/SAMs薄膜的PL峰分布和陷阱輔助復(fù)合速率。
通過(guò)TRPL測(cè)量來(lái)提取載流子復(fù)合參數(shù),理解太陽(yáng)能電池內(nèi)部的載流子動(dòng)態(tài)和能量轉(zhuǎn)換,有助于優(yōu)化太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)
電流-電壓(J-V)特性測(cè)量:直接評(píng)估電池的效率和穩(wěn)定性,為衡量研究成果的重要指標(biāo)。
測(cè)量電池的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)和其他電性能參數(shù)。
新加坡國(guó)立大學(xué)NUS侯毅團(tuán)隊(duì)為光焱科技的用戶(hù),長(zhǎng)期采用多項(xiàng)來(lái)自光焱科技的表征設(shè)備進(jìn)行研究
上圖為SS-X 3A+級(jí)別AM1.5太陽(yáng)光模擬器使用示意圖,另外,搭配QE-R 光伏 / 太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)量解決方案,能在軟件操作下具有效率地為表征程序的測(cè)量取得精準(zhǔn)并具高重復(fù)性的數(shù)值。
1cm2 a-SAM基器件展現(xiàn)效率超25%性能
高性能的c-SAM-PSCs和a-SAM-PSCs均采用p-i-n結(jié)構(gòu),其組成為玻璃/摻氟錫氧化物(FTO)/c-SAM或a-SAM/Cs 0.1FA 0.9 PbI 3 /C 60 /bathocuproine (BCP)/Ag,隨著a-SAM均勻性的提升,1cm2 a-SAM基器件展現(xiàn)效率達(dá)25.20%,開(kāi)路電壓(VOC)為1.175V,填充因子(FF)為84.0%,短路電流密度(JSC)為25.6mA cm?2,創(chuàng)下1cm2器件效率超25%的新紀(jì)錄。相較之下,c-SAM基器件的Voc和FF略低,分別為1.153V和81.6%,整體效率為24.0%。
值得關(guān)注的是,1cm2 c-SAM和a-SAM器件在FF上存在顯著差異(c-SAM器件平均FF為81%,a-SAM器件為83.5%)。研究團(tuán)隊(duì)推測(cè)這源于兩種SAM的均勻性差異。為驗(yàn)證性能,研究人員將一個(gè)1cm2 PSC進(jìn)行認(rèn)證。與已發(fā)表文獻(xiàn)中報(bào)告的n-i-p和p-i-n結(jié)構(gòu)相比,顯示研究團(tuán)隊(duì)的1cm2 PSC實(shí)現(xiàn)了24.35%的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)效率,是一項(xiàng)顯著的認(rèn)證效率a-SAM基器件的外量子效率(EQE)結(jié)果如,積分得到的JSC為26.3mA cm-2。
此外,研究團(tuán)隊(duì)更對(duì)有效面積為1.70cm2的相同結(jié)構(gòu)器件進(jìn)行了電致發(fā)光映射。c-SAM器件映射中出現(xiàn)幾處暗區(qū),表明鈣鈦礦組分分布不均。相比之下,a-SAM器件在整個(gè)電池區(qū)域展現(xiàn)出更高且更均勻的電致發(fā)光強(qiáng)度。并與光致發(fā)光(PL)映射結(jié)果一致,表明空穴傳輸材料(HTM)/鈣鈦礦界面的非輻射復(fù)合顯著減少。這種減少有助于提高開(kāi)路電壓(Voc)、填充因子(FF)和整體器件穩(wěn)定性,因?yàn)榻缑嫒毕莸玫搅司徑狻?/span>
研究人員按照ISOS-L-1I和ISOS-T-2I進(jìn)行了嚴(yán)格的穩(wěn)定性評(píng)估。在連續(xù)的一個(gè)太陽(yáng)光強(qiáng)度照明下,相對(duì)濕度85%的環(huán)境中進(jìn)行600小時(shí)最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)后,封裝的a-SAM器件保持了接近100%的初始效率,表現(xiàn)出色。相比之下,c-SAM器件在類(lèi)似條件下400小時(shí)后效率降至85%以下。此外,a-SAM基器件經(jīng)歷1000小時(shí)85°C熱應(yīng)力測(cè)試后仍保持90%的初始效率,遠(yuǎn)優(yōu)于c-SAM基器件,后者僅保持56%的初始效率。
文獻(xiàn)參考自Nature Photonics Volume 18. 9月號(hào)_DOI: 10.1038/s41566-024-01531-x
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